日本电子JSM-7200F 热场发射扫描电子显微镜
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＜特点＞
JSM-7200F的主要特点有：应用了浸没式肖特基电子枪技术的电子光学系统；利用GB（Gentle Beam 模式）和各种检测器在低加速电压下能进行高分辨观察和选择信号的TTLS系统（Through-The-Lens System）；电磁场叠加的混合式物镜。
浸没式肖特基电子枪
浸没式肖特基场发射电子枪为日本电子的专利技术，通过对电子枪和低像差聚光镜进行优化，能有效利用从电子枪中发射的电子，即使电子束流很大也能获得很细的束斑。因而可以实现高通量分析（EDS、WDS面分析、EBSD分析等）。
TTLS（through-the-lens系统）
TTLS（through-the-lens系统）是利用GB(Gentle Beam 模式）在低加速电压下能进行高分辨率观察和信号选择的系统。 利用GB（Gentle Beam 模式）通过给样品加以偏压，对入射电子有减速、对样品中发射出的电子有加速作用，即使在低加速电压（入射电压）下，也能获得信噪比良好的高分辨率图像。
此外，利用安装在TTLS的能量过滤器过滤电压，可以调节二次电子的检测量。这样在低加速电压的条件下，用高位检测器（UED）就可以只获取来自样品浅表面的大角度背散射电子。因过滤电压用UED没有检测出的低能量电子，可以用高位二次电子检测器（USD，选配件）检测出来，因此JSM-7200F能同时获取二次电子像和背散射电子像。
混合式物镜（电磁场叠加）
JSM-7200F的物镜采用了本公司新开发的混合式透镜。
这种混合式透镜是组合了磁透镜和静电透镜的电磁场叠加型物镜，比传统的out-lens像差小，能获得更高的空间分辨率。 JSM-7200F仍然保持了out-lens的易用性，所以可以观察和分析磁性材料样品。
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型号 |
JSM-7200F |
JSM-7200FLV |
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分辨率 |
1.0 nm(20kV)，1.6 nm(1kV) |
1.0 nm(20kV)，1.6 nm(1kV)，1.8nm (30kV, LV ) |
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放大倍率 |
×10～×1,000,000(120mm x 90mm photograph size); ×30～×3,000,000(1280 x 960pixels display); |
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加速电压 |
0.01kV～30kV |
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束流 |
1pA～300nA |
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自动光阑角控制透镜ACL |
内置 |
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大景深模式 |
内置 |
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检测器 |
高位检测器(UED)、低位检测器(LED) |
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样品台 |
5轴马达驱动样品台 |
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样品移动范围 |
X：70mm Y：50mm Z：2mm～41mm倾斜－5～＋70° 旋转360° |
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低真空范围 |
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10pa～300pa |
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应用实例
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◇ 利用混合式物镜、GB（Gentle Beam 模式）进行观察的实例
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利用低像差的混合式物镜和GB 模式，即使对不导电样品也能在低的加速电压下进行高分辨率成像。
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样品: 介孔二氧化硅
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◇ 使用高位检测器（ＵＥＤ）、能量过滤器进行观察的实例
- 下图是利用UED在低加速电压条件下获得的背散射电子像。由于是大角度散射电子成像，成份信息非常丰富，但加速电压为0.8kV比在5kV时的测试，能获得更细微的浅表面信息。象这样在低加速电压下要获取样品浅表面的背散射电子成份像，不仅需要高位检测器，还需要用来去除二次电子的能量过滤器。
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样品：镀金表面, 能量过滤器： -250 V
